氧化铝模板法制备Ge纳米线

• 作者: 侯崐 叶好华 叶志镇 吴贵斌 涂江平 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge纳米线 氧化铝模板 低压化学气相沉积 气-液-固(VLS)生长机理
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 173-176
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+1
• 字数: 2583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.013

摘要

采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出Ge纳米线.在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂,合成了Ge纳米线.采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对Ge纳米线进行了分析.Ge纳米线的直径约为30nm,长度超过600nm.对Ge纳米线的生长机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	涂江平	浙江大学材料系	82	1603	23.0	38.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
5	叶好华	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	32	2.0	2.0
6	吴贵斌	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	70	4.0	8.0
7	侯崐	浙江大学材料系	1	20	1.0	1.0