低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器

• 作者: 卿健 忻佩胜 朱自强 李炜 石艳玲 赖宗声
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微机械移相器 高阻硅 驱动电压 振动寿命
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1914-1916
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1474字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2003.12.039

摘要

通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容,外加电压驱动改变电容值,可实现级联式MEMS移相器.本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器,测试结果表明制备器件具有较低的驱动电压,8V时即产生明显的相移量,在36GHz处15V驱动电压时相移量为118°,25V时为286°.对微结构弹性膜的机械振动寿命测试表明,13级级联的MEMS移相器所有弹性膜同步振动的寿命为3×106次.为器件的实用化提供了重要保障.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学电子科学技术系	47	205	8.0	12.0
2	李炜	华东师范大学电子科学技术系	12	83	6.0	9.0
3	忻佩胜	华东师范大学电子科学技术系	16	115	7.0	10.0
4	朱自强	华东师范大学电子科学技术系	40	272	11.0	13.0
5	赖宗声	华东师范大学电子科学技术系	136	779	13.0	18.0
6	卿健	华东师范大学电子科学技术系	7	57	4.0	7.0