GaAs微条粒子探测器的辐照特性

• 作者: 史常忻 朱美华 邵传芬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微条 砷化镓 探测器
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 221-224
• 页数: 4页
• 分类号: O572.11
• 字数: 2443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.022

摘要

设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器.该探测器结构采用金属-半导体-金属结构,其主要几何尺寸是:微条长度为17mm,宽度分别为20、50、100、200、300μm.该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后,表面金属光亮无损,反向击穿电压最高可达180V,在反偏电压80V时,反向暗电流密度低达31nA/mm2.探测器的最小条宽为20μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵传芬	上海交通大学微电子技术研究所	5	9	2.0	2.0
2	史常忻	上海交通大学微电子技术研究所	6	9	2.0	2.0
3	朱美华	上海交通大学物理系	1	1	1.0	1.0