Si3N4-MgO-CeO2陶瓷烧结中的致密化与自动析晶

• 作者: 李华平 杜大明 杨海涛 赵世坤 高玲
• 来源期刊: 佛山陶瓷
• 关键词: 氮化硅 等离子放电烧结 致密化 析晶
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 10-12
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-8236.2003.06.004

摘要

用等离子放电烧结的方法制备了Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,用排水法测定了密度,用X射线衍射的方法测定了物相变化.发现在烧结过程中,高于1 450℃时,MgO-Ce02就会与氮化硅粉末表面的SiO2反应形成硅酸盐液相,促进烧结致密化,冷却后形成玻璃相留在晶界,氮化硅的致密化在1 500℃接近完成.但高于1 550℃烧结,MgO反而会析晶,提高氮化硅陶瓷的高温性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玲	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	25	205	9.0	13.0
2	杨海涛	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	35	361	11.0	18.0
3	杜大明	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	10	52	4.0	6.0
4	赵世坤	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	10	52	4.0	6.0
5	李华平	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	10	52	4.0	6.0