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摘要:
用断裂力学方法和有限元模拟分析了填充不流动胶芯片断裂问题.模拟时在芯片上表面中心预置一裂缝,计算芯片的应力强度因子和能量释放率.模拟表明,由固化温度冷却到室温时,所研究的倒装焊封装在填充不流动胶时芯片断裂临界裂纹长度为12μm,而填充传统底充胶时为20μm.模拟结果显示芯片断裂与胶的杨氏模量和热膨胀系数相关,与胶的铺展关系不大.焊点阵列排布以及焊点位置也会影响封装整体翘曲和芯片断裂.
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文献信息
篇名 填充不流动胶的倒装焊封装中芯片的断裂问题
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 芯片断裂 不流动胶 封装翘曲 能量释放率 应力强度因子
年,卷(期) 2003,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 90-97
页数 8页 分类号 TN405.97
字数 5546字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 程兆年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中德联合实验室 20 270 10.0 16.0
2 黄卫东 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中德联合实验室 35 335 12.0 17.0
3 彩霞 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中德联合实验室 8 128 6.0 8.0
4 徐步陆 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中德联合实验室 6 111 5.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
芯片断裂
不流动胶
封装翘曲
能量释放率
应力强度因子
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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