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填充不流动胶的倒装焊封装中芯片的断裂问题
填充不流动胶的倒装焊封装中芯片的断裂问题
作者:
彩霞
徐步陆
程兆年
黄卫东
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
芯片断裂
不流动胶
封装翘曲
能量释放率
应力强度因子
摘要:
用断裂力学方法和有限元模拟分析了填充不流动胶芯片断裂问题.模拟时在芯片上表面中心预置一裂缝,计算芯片的应力强度因子和能量释放率.模拟表明,由固化温度冷却到室温时,所研究的倒装焊封装在填充不流动胶时芯片断裂临界裂纹长度为12μm,而填充传统底充胶时为20μm.模拟结果显示芯片断裂与胶的杨氏模量和热膨胀系数相关,与胶的铺展关系不大.焊点阵列排布以及焊点位置也会影响封装整体翘曲和芯片断裂.
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裂纹
芯片
有限单元分析
倒装片
断裂力学
设计工艺
内容分析
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文献信息
篇名
填充不流动胶的倒装焊封装中芯片的断裂问题
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
芯片断裂
不流动胶
封装翘曲
能量释放率
应力强度因子
年,卷(期)
2003,(1)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
90-97
页数
8页
分类号
TN405.97
字数
5546字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.019
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
程兆年
中国科学院上海微系统与信息技术研究所中德联合实验室
20
270
10.0
16.0
2
黄卫东
中国科学院上海微系统与信息技术研究所中德联合实验室
35
335
12.0
17.0
3
彩霞
中国科学院上海微系统与信息技术研究所中德联合实验室
8
128
6.0
8.0
4
徐步陆
中国科学院上海微系统与信息技术研究所中德联合实验室
6
111
5.0
6.0
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引文网络
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参考文献(0)
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参考文献(1)
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2000(1)
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二级参考文献(0)
2001(6)
参考文献(6)
二级参考文献(0)
2003(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2004(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2005(1)
引证文献(0)
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引证文献(0)
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二级引证文献(1)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
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引证文献(3)
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引证文献(0)
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研究主题发展历程
节点文献
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不流动胶
封装翘曲
能量释放率
应力强度因子
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
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半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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半导体学报(英文版)2002
半导体学报(英文版)2001
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半导体学报(英文版)2003年第z1期
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