SiC单晶生长

• 作者: 刘喆 徐现刚
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 单晶生长 宽禁带半导体
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 热点评述
• 页码范围: 274-278
• 页数: 5页
• 分类号: O782.7
• 字数: 3859字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2003.02.031

摘要

本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状.从其结构特点生长方法的选择,生长过程中的问题以及存在的晶体缺陷等方面进行了介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
2	刘喆	山东大学晶体材料国家重点实验室	8	102	5.0	8.0