在薄硅外延片上制备高频肖特基势垒二极管

• 作者: 叶志镇 张海燕 李蓓 谢靓红 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势垒 二极管 硅外延层 截止频率
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 622-625
• 页数: 4页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 2010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.012

摘要

采用超高真空化学气相沉积技术,在n型重掺Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层,利用扩展电阻和原子力显微分析对外延层进行了检验.结果表明,重掺Si衬底与薄硅外延层之间的界面过渡区陡峭,外延层厚度在亚微米级,掺杂浓度为1017cm-3.在此外延片上制备了高频肖特基二极管的原型器件,与传统的硅基肖特基二极管相比截止频率有了大幅提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
4	张海燕	浙江大学硅材料国家重点实验室	20	125	6.0	10.0
5	李蓓	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	51	4.0	7.0
6	谢靓红	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	72	2.0	2.0