共晶硅变质机理研究进展

• 作者: 孙国雄 廖恒成
• 来源期刊: 铸造
• 学科: 工学
• 关键词: 共晶Si 变质 机理
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 专题综述
• 页码范围: 1127-1129
• 页数: 3页
• 分类号: TG146.2+1
• 字数: 3383字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-4977.2003.12.001

摘要

随着对共晶Si变质机理的深入研究,相继发现了一些新的证据,提出了一些新的假说.共晶Si的变质机理主要存在两种:形核理论和生长理论."小面-非小面转变说"的核心是Si相的形核受到抑制,而"毒化"机制、Zigzag孪晶生长模型及杂质诱发孪晶机制揭示了变质时共晶Si晶体的生长行为.文中对共晶Si的变质机理研究进展进行了综述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙国雄	东南大学机械工程系	125	1546	22.0	31.0
2	廖恒成	东南大学机械工程系	48	677	16.0	24.0