Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

• 作者: 李明 欧文 钱鹤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 快闪存储器 ONO介质层 漏电 临界电场强度
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 516-519
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2037字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.05.014

摘要

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧(top oxide)和底氧(bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明	中国科学院微电子中心	251	3222	29.0	47.0
2	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0
3	欧文	中国科学院微电子中心	27	81	6.0	7.0