氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响

• 作者: 张兴 许晓燕 谭静荣 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅介质 氮注入 硼扩散
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 76-79
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2132字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.016

摘要

p+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化,在多晶硅栅内注入N+的工艺可抑制硼扩散.制备出栅介质厚度为4.6nm的p+栅MOS电容,通过SIMS测试分析和I-V、C-V特性及电应力下击穿特性的测试,观察了多晶硅栅中注N+工艺对栅介质性能的影响.实验结果表明:在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散,降低了低场漏电和平带电压的漂移,改善了栅介质的击穿性能,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大,需要折衷优化设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子所	120	618	12.0	20.0
3	谭静荣	北京大学微电子所	5	4	1.0	1.0
4	许晓燕	北京大学微电子所	6	6	1.0	1.0