用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器

• 作者: 周帆 张靖 张静媛 朱洪亮 王保军 王圩 赵玲娟 陆羽
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 可调谐激光器 DBR激光器 QWI 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 903-906
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.002

摘要

采用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA,可调谐范围为4.6nm,边模抑制比(SMSR)为40dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洪亮	中国科学院半导体研究所	32	94	6.0	7.0
2	张靖	中国科学院半导体研究所	14	101	5.0	10.0
3	王圩	中国科学院半导体研究所	47	124	6.0	7.0
4	周帆	中国科学院半导体研究所	28	59	4.0	5.0
5	王保军	中国科学院半导体研究所	15	532	10.0	15.0
6	赵玲娟	中国科学院半导体研究所	27	84	5.0	7.0
7	陆羽	中国科学院半导体研究所	4	19	3.0	4.0
8	张静媛	中国科学院半导体研究所	11	37	3.0	5.0