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摘要:
为了提高永磁薄膜阵列的剩磁和最大磁能积, 在电镀制备CoNiMnP永磁薄膜阵列过程中引入少量稀土Nd原子替代部分Ni原子, 采用光刻和电镀技术在5 mm×5 mm×0.2 mm的硅片上设计并制备了2000个大小为50 μm×50 μm的CoNi1-xNdxMnP垂直各向异性永磁薄膜阵列, 并对该薄膜陈列的组成、磁性能等进行了分析与测试. 结果表明: 薄膜阵列的组成为(质量分数):Nd 1.90%, Co 86.62%, Ni 5.68%, Mn 2.06%, P 3.74%; 阵列垂直方向磁性能为:Hc=59.7 kA·m-1, Br=0.53 T, (BH)max=11.3 kJ·m-3; 阵列水平方向磁性能为: Hc=27.8 kA·m-1, Br=0.42 T, (BH)max=3.2 kJ·m-3.
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文献信息
篇名 电镀法制备CoNi1-xNdxMnP永磁薄膜阵列的研究
来源期刊 稀有金属 学科 工学
关键词 CoNi1-xNdxMnP永磁薄膜 电镀 垂直各向异性
年,卷(期) 2003,(5) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 632-635
页数 4页 分类号 TG174.441|TM273
字数 1722字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.05.030
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张金平 电子科技大学微电子与固体电子学院 19 83 5.0 8.0
2 蒋洪川 电子科技大学微电子与固体电子学院 74 586 12.0 19.0
3 杨仕清 电子科技大学微电子与固体电子学院 43 401 10.0 18.0
4 张万里 电子科技大学微电子与固体电子学院 142 705 13.0 17.0
5 彭斌 电子科技大学微电子与固体电子学院 87 638 12.0 21.0
6 张文旭 电子科技大学微电子与固体电子学院 35 302 9.0 16.0
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电镀
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稀有金属
月刊
0258-7076
11-2111/TF
大16开
北京新街口外大街2号
82-167
1977
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