用1553nm激光脉冲触发GaAs光电导开关的研究

• 作者: 施卫 贾婉丽
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘GaAs 光电导开关 EL2深能级
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1016-1020
• 页数: 5页
• 分类号: TN256
• 字数: 1252字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.002

摘要

用1553nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明,当光电导开关处于3.33～10.3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度200fs且单脉冲能量0.2nJ的激光脉冲照射时,开关表现为线性工作模式,开关输出峰值电压为0.8mV.分析表明,开关对波长为1553nm触发激光脉冲表现出的弱光电导现象起因于半绝缘GaAs材料EL2深能级的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0
2	贾婉丽	西安理工大学应用物理系	14	172	6.0	13.0