高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试

• 作者: 介万奇 李国强 谷智
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cd1-xZnxTe 布里奇曼法 电阻率 红外透过率 结晶质量
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 833-836
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 2857字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.011

摘要

通过适当的工艺措施,采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0.9Zn0.1Te晶锭.测试结果表明:该晶锭结晶质量良好,位错密度低,成分均匀,杂质含量低,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0.9Zn0.1Te的值.并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度,分析了生长高性能晶体的条件,研究了生长Cd1-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	谷智	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	21	103	5.0	9.0
3	李国强	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	9	42	4.0	6.0