使用SiO2介质膜实现InGaAsP量子阱混杂

• 作者: 张靖 王圩 陆羽
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光子集成回路 量子阱混杂 无杂质空位扩散 波长蓝移
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 785-788
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 611字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.001

摘要

报道了使用SiO2介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验,得到200nm的最大带隙波长蓝移.另外,采用量子阱混杂制作了蓝移的FP腔激光器,其性能与未混杂的激光器相当.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张靖	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	14	101	5.0	10.0
2	王圩	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	47	124	6.0	7.0
3	陆羽	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	4	19	3.0	4.0