浮栅ROM器件辐射效应机理分析

• 作者: 李国政 杨海亮 王燕萍 耿斌 贺朝会 陈晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: FLASH ROM,EEPROM,中子,质子,60Co γ,总剂量效应
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2235-2238
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 4548字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.09.025

摘要

分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理,合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和60Co γ辐射效应都是总剂量效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国政		8	127	6.0	8.0
2	杨海亮		35	262	9.0	14.0
3	王燕萍		11	66	6.0	7.0
4	耿斌		10	60	6.0	7.0
5	陈晓华		11	87	6.0	9.0
6	贺朝会		16	193	8.0	13.0