热载流子应力下超薄栅pMOS器件氧化层陷阱电荷的表征

• 作者: 杨国勇 毛凌锋 王金延 许铭真 谭长华 霍宗亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOS结构 氧化层陷阱 热载流子退化
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 238-244
• 页数: 7页
• 分类号: TN43
• 字数: 2659字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.03.003

摘要

利用电荷泵技术研究了4nm pMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为.首先,对于不同沟道长度下的热载流子退化,通过直接的实验证据,发现空穴陷阱俘获特性与应力时间呈对数关系.然后对不同应力电压、不同沟道长度下氧化层陷阱电荷(包括空穴和电子陷阱俘获)的产生做了进一步的分析.发现对于pMOSFET的热载流子退化,氧化层陷阱电荷产生分两步过程:在较短的应力初期,电子陷阱俘获是主要机制;而随着应力时间增加,空穴陷阱俘获作用逐渐显著,最后主导了氧化层陷阱电荷的产生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍宗亮	北京大学微电子学研究所	8	12	2.0	2.0
2	毛凌锋	北京大学微电子学研究所	16	38	4.0	4.0
3	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
4	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
5	王金延	北京大学微电子学研究所	13	15	2.0	3.0
6	杨国勇	北京大学微电子学研究所	18	93	6.0	9.0