结晶状态对铜内耗频率谱的影响

• 作者: 张进修 朱震刚 王晓伟 龚康
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 内耗 频率谱 多晶铜 单晶铜 纳米晶铜 共振吸收
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 页码范围: 1212-1214
• 页数: 3页
• 分类号: O76|O482.2
• 字数: 1653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.024

摘要

用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱,在170,320以及490 Hz附近观测到3个明显的共振吸收频率峰.3种试样在晶粒结构上存在极大差别,但其共振吸收内耗峰出现在相同频率范围,这说明产生内耗频率峰的机制与晶体缺陷和晶粒尺度无关,而与材料的晶体点阵性质密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张进修	中山大学光电技术与材料国家重点实验室	50	378	12.0	17.0
5	朱震刚	中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放实验室	36	379	10.0	19.0
6	龚康	中山大学光电技术与材料国家重点实验室	4	20	2.0	4.0