调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中AlxGa1-xN势垒层表面态及其他局域态性质研究

• 作者: 刘杰 周慧梅 周玉刚 张荣 施毅 沈波 郑有炓 郑泽伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ族氮化物 调制掺杂异质结构 势垒层 表面态
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 822-826
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.009

摘要

通过测量调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结样品的变频电容-电压(C-V)特性,对Al0.22Ga0.78N势垒层表面态的性质进行了研究.结果发现在小偏压下,样品的电容随着测量信号频率的增加而下降,说明势垒层中存在表面态.实验数据分析表明:表面态密度约为1013cm-2量级,表面态的时间常数比势垒层中其他局域态大.随着空间隔离层厚度的增加,势垒层中其他局域态密度随之增加.在金属电极和Al0.22Ga0.78N势垒层之间加入Si3N4绝缘层可以对表面态起到显著的钝化作用,使表面态密度降为～1012cm-2量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘杰	南京大学物理系	27	427	8.0	20.0
2	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
3	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
4	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
5	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
6	周玉刚	南京大学物理系	9	15	2.0	3.0
7	周慧梅	南京大学物理系	4	8	2.0	2.0
8	郑泽伟	南京大学物理系	3	7	1.0	2.0