PCS先驱体转化法制备SiC涂层的浸渍工艺

• 作者: 付志强 唐春和 梁彤祥
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: SiC涂层 聚碳硅烷 浸渍
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TL342|TQ163+.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2003.03.008

摘要

在聚碳硅烷(PCS)先驱体转化法制备SiC涂层的浸渍工艺参数中,浸渍溶液的PCS浓度对涂层形貌影响最大,而其他参数的影响很小.当PCS的浓度不大于30%时均可以获得均匀、致密的SiC涂层.随着PCS浓度的增大,涂层厚度增加;单次浸渍可获得的SiC涂层最大厚度为1～2μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁彤祥	清华大学核能技术设计研究院	51	422	12.0	18.0
2	唐春和	清华大学核能技术设计研究院	40	239	9.0	13.0
3	付志强	清华大学核能技术设计研究院	7	47	4.0	6.0