半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷

• 作者: 刘彩池 唐蕾 张春玲 徐岳生 王海云 郝景臣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SI-GaAs 微缺陷 位错
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 718-722
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.009

摘要

通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和X射线异常透射形貌等技术,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷.实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于或等于75mm的半绝缘砷化镓单晶在晶体周边区域,一般都有由高密度位错的运动和反应而形成的蜂窝状网络结构,并且位错和微缺陷之间,有着强烈的相互作用,位错吸附微缺陷,微缺陷缀饰位错.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	徐岳生	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	21	163	7.0	12.0
3	王海云	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	16	86	5.0	8.0
4	唐蕾	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	5	37	3.0	5.0
5	张春玲	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	2	30	2.0	2.0