Ti-Si-N纳米复相薄膜及Si含量对脉冲直流PCVD镀膜质量的影响

• 作者: 徐可为 王昕 马大衍 马胜利
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: PCVD Ti-Si-N 相组成 临界载荷
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 页码范围: 1047-1050
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.44|O484
• 字数: 2169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2003.10.007

摘要

用工业型脉冲直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)设备,在高速钢(W18Cr4V)表面沉积Ti-Si-N三元薄膜,研究了不同N2流量对薄膜组织及性能的影响.结果表明:随N2流量增大,膜层沉积速率及膜层中Si含量减少,薄膜组织趋于致密,膜层颗粒尺寸明显减小,划痕法临界载荷和显微硬度显著增加,硬度最高可达50 GPa以上.研究发现,对应N2流量,薄膜相组成发生变化,依次存在有TiN/a-Si3N4/Si,TiN/a-Si3N4/TiSi2/Si,TiN/a-Si3N4/TiSi2三种相组成形式.分析认为,低N2或高Si效果不佳的原因在于直流PCVD是以工件为阴极,膜层中过多的Si3N4和Si将严重劣化阴极的电导性,致使膜层疏松,说明脉冲直流PCVD与射频PCVD存在很大的区别.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐可为	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	238	3333	30.0	44.0
2	马胜利	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	51	461	12.0	18.0
3	王昕	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	25	194	8.0	12.0
4	马大衍	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	26	168	8.0	12.0