CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理及分析

• 作者: 仇玉林 金湘亮 陈杰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅感应噪声 像素MOSFET 改进的APS CMOS图像传感器
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 921-926
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 2539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.006

摘要

提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理.分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显,但当施加在栅极电压达到3V时,随着ω/ωT比值的增加,MOSFET工作于亚阈值区的栅感应噪声比工作于强反型区明显.同时详细分析了有源像素(APS)中的RESET晶体管的栅感应噪声的影响并提出抑制栅感应噪声的电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	仇玉林	中国科学院微电子中心	54	383	10.0	17.0
2	陈杰	中国科学院微电子中心	247	3126	30.0	49.0
3	金湘亮	中国科学院微电子中心	14	209	6.0	14.0