适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术

• 作者: 刘训春 曹振亚 牛立华 王润梅 罗明雄 魏珂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阵列波导光栅(AWG) SiO2 感应耦合等离子体刻蚀(ICP)
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1222-1225
• 页数: 4页
• 分类号: TN814+.7
• 字数: 1709字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.11.020

摘要

采用ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚SiO2陡直刻蚀技术的研究,利用双层掩膜技术解决了"微掩膜现象"问题,刻蚀获得12.4μm的陡直SiO2光波导剖面,并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘训春	中国科学院微电子中心	43	222	9.0	11.0
2	罗明雄	中国科学院微电子中心	5	20	3.0	4.0
3	王润梅	中国科学院微电子中心	15	78	6.0	8.0
4	魏珂	中国科学院微电子中心	24	134	5.0	10.0
5	曹振亚	中国科学院微电子中心	1	3	1.0	1.0
6	牛立华	中国科学院微电子中心	1	3	1.0	1.0