超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性

• 作者: 张贺秋 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: FN隧穿 MOSFET 软击穿 超薄
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1149-1153
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 1357字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.11.006

摘要

研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化.在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数.在软击穿后,输出特性和转移特性只有小的改变.在软击穿发生时,漏端的电流和域值电压的退化是连续变化的.但是,在软击穿时栅漏电流突然有大量的增加.对软击穿后的栅漏电流增量的分析表明,软击穿后的电流机制是FN隧穿,这是软击穿引起的氧化物的势垒高度降低造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子研究院	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子研究院	52	102	5.0	7.0
3	张贺秋	北京大学微电子研究院	6	20	3.0	4.0