CMTD晶体(001)面的表面形貌观测及其结晶形态研究

• 作者: 孙大亮 王坤鹏 苏静 郭世义
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD) 生长机理 缺陷
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 215-217,220
• 页数: 4页
• 分类号: O793|O781
• 字数: 2295字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2003.02.036

摘要

用倒置相差显微镜观察了CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD)晶体结晶过程的形态变化.同时用原子力显微镜(AFM)对CMTD的(001)面进行形貌观察,测得的初级台阶高度为1.411nm,是晶胞参数c的一半,发现了螺旋生长丘及缺陷,并对生长丘的中心孔芯作了初步分析,讨论了CMTD晶体所特有的"树杈状"和"一字形"缺陷及形成机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏静	山东大学晶体材料国家重点实验室	17	65	5.0	7.0
3	孙大亮	山东大学晶体材料国家重点实验室	18	122	6.0	10.0
4	郭世义	山东大学晶体材料国家重点实验室	12	36	4.0	5.0
5	王坤鹏	山东大学晶体材料国家重点实验室	9	119	5.0	9.0