利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性

• 作者: 李国华 钮金真
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 光致发光 边发射
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1067-1071
• 页数: 5页
• 分类号: TN249
• 字数: 3253字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.013

摘要

在室温下测量了GaInP/AlGaInP垂直腔面发射激光器(VCSEL)的光致发光谱和反射谱.通过反射谱测量可以很容易得到激光器的腔模波长.但是用通常的背散射配置不能测得与有源区中量子阱有关的光致发光信号.用边激发配置可以测到量子阱的光致发光谱,但这样测得的光谱已经受到激光器中的分布布拉格反射镜(DBR)的调制.采用腐蚀去上DBR层的方法可以在背散射配置下测得量子阱的光致发光谱,但仍无法避免下DBR层对发光谱的调制作用.从而只有采用边激发-边发射模式才能测得VCSEL中量子阱的真实的光致发光谱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国华	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	25	99	5.0	9.0
2	钮金真	中央民族大学物理与电子工程系	13	55	4.0	6.0