用0.35μm CMOS工艺实现存储接口单元中的数模混合DLL

• 作者: 杨丰林 沈绪榜
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 延迟锁定环 存储接口 压控延迟线
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: EDA技术专栏
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1836字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2003.04.033

摘要

论述了一种利用0.35μm、双阱、双层金属、双层多晶硅的CMOS工艺所实现的延迟锁定环(DLL).该DLL用于RISC处理器中存储接口部件的时钟同步.本文介绍了其应用背景,给出了DLL的系统结构,接着分别介绍了鉴相器、电荷泵以及压控延迟线的电路结构,最后给出相关仿真结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈绪榜	华中科技大学图像信息处理与智能控制教育部重点实验室	50	293	9.0	14.0
2	杨丰林	华中科技大学图像信息处理与智能控制教育部重点实验室	2	5	1.0	2.0