掺铒nc-Si/SiO2薄膜中nc-Si和Er3+与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响

• 作者: 宋淑芳 王永谦 许振嘉 陈维德 陈长勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Er3+ nc-Si H处理
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 736-739
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3389字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.03.043

摘要

对nc-Si/SiO2<Er>薄膜中纳米硅(nc-Si)、Er3+和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究.在514.5 nm光激发下,nc-Si/SiO2<Er>薄膜在750nm和1.54μm处存在较强的发光,前者与薄膜中的nc-Si有关,后者对应于Er3+从第一激发态4I13/2到基态4I15/2的辐射跃迁.随薄膜中Er3+含量的提高,1.54μm处的发光强度明显增强,750 nm处的发光强度却降低.H处理可以明显增强薄膜的发光强度,但是对不同退火温度样品,处理效果却有所不同.根据以上实验结果,可得如下结论:在nc-Si颗粒附近的Er3+和其他的缺陷组成了nc-Si颗粒内产生的束缚激子的非辐射复合中心,束缚激子通过Er3+的非辐射复合,激发Er3+产生1.54μm处的发光,同时降低了750nm处的发光强度.nc-Si颗粒附近其他非辐射复合中心的存在会降低Er3+被激发的概率,引起1.54μm处的发光强度降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈维德	中国科学院半导体研究所	12	35	4.0	5.0
5	陈长勇	中国科学院半导体研究所	5	69	4.0	5.0
9	宋淑芳	中国科学院半导体研究所	11	65	5.0	7.0
13	王永谦	中国科学院半导体研究所	9	59	5.0	7.0