Ⅲ族氮化物基发光二极管制造工艺

• 作者: 叶志镇 顾星
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ族氮化物 发光二极管 氮化镓 薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23|TN36
• 字数: 2278字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.02.002

摘要

Ⅲ族氮化物是近年来半导体发光器件研究领域中的热点.由于InN,GaN,AlN及由其组成的连续变化固溶体合金所构成的半导体微结构材料,具有宽禁带宽电子漂移饱和速度高、介电常数小及导热性能好等特点,使其在制作短波长、高亮度的发光器件方面具有极其光明的前景.本文系统介绍了以氮化镓为代表的Ⅲ族氮化物基发光二极管的制造工艺.从工作原理、材料生长、掺杂和欧姆接触等各方面,介绍了各种氮化物二极管的不同器件结构和制造工艺.在介绍国际上最新制造技术的同时,对其发展前景做出了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	顾星	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	26	3.0	4.0