与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟

• 作者: 孙增辉 崔增文 毛陆虹 陈弘达 高鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反向击穿硅p-n结 硅基光发射器件 击穿电压 CMOS
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 255-259
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 780字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.03.006

摘要

采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件.讨论了该器件的光发射机理.利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟,包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等.结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件,在光互连等领域具有广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	165	736	12.0	20.0
3	陈弘达	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	82	341	10.0	13.0
4	高鹏	天津大学电子与信息工程学院	28	255	9.0	15.0
5	孙增辉	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	4	15	2.0	3.0
8	崔增文	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	1	6	1.0	1.0