LP-MOCVD生长ZnO薄膜的氧源

• 作者: 叶建东 张荣 施毅 朱顺明 秦锋 胡立群 郑有炓 陈童 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 LP-MOCVD 离化
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 177-182
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 4616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.014

摘要

使用CO2、O2氧源得到了ZnO择优取向薄膜样品,实验证实了小尺寸的交流高压离化器件确实能够为低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)生长ZnO薄膜提供有效的离化氧源支持.运用电晕放电模型和ZnO薄膜台阶生长模型研究了离化效率对电压、气压和不同氧源气体的依赖关系及负氧浓度对生长速率和薄膜质量的影响.对X射线衍射谱、光致发光谱、原子力显微镜和俄歇电子能谱的分析表明,CO2氧源由于离化效率较高,负氧浓度较大,使得生长速率较慢,薄膜表面较为平坦,但表面C污染影响了薄膜内部质量;而O2氧源样品取向更接近(0002)衬底取向,样品内部应力较小,晶格常数更接近正常化学配比的ZnO单晶,这表明最优负氧浓度的存在和气源带来的污染是ZnO生长中必须考虑的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
2	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
3	朱顺明	南京大学物理系	20	72	5.0	7.0
4	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
5	叶建东	南京大学物理系	11	57	5.0	7.0
6	秦锋	南京大学物理系	2	15	1.0	2.0
7	胡立群	南京大学物理系	13	49	4.0	6.0
8	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
9	陈童	南京大学物理系	3	20	2.0	3.0