直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为

• 作者: 毛凌锋 许铭真 谭长华 霍宗亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 缺陷 MOS结构 时变击穿
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 127-132
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 字数: 2330字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.004

摘要

基于一阶速率方程,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为.通过对应力电流的拟合,发现存在三类缺陷产生的前身.更进一步的统计实验显示,在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之间存在着明确的关系.这意味着缺陷产生时间常数能够被用于有效预测氧化层的寿命.与常规的氧化层击穿实验相比,基于缺陷产生时间常数的预测更快、更有效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍宗亮	北京大学微电子学研究所	8	12	2.0	2.0
2	毛凌锋	北京大学微电子学研究所	16	38	4.0	4.0
3	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
4	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0