双极RF功率管的深阱结终端

• 作者: 周蓉 张庆中 李肇基 胡思福
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极RF功率管 深阱结终端 击穿电压 填充介质
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 396-400
• 页数: 5页
• 分类号: TN323|TN305.94
• 字数: 3090字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.013

摘要

给出了双极RF功率管新的深阱结终端结构.模拟分析表明,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的95%以上.实验结果表明,深阱结终端结构器件DCT260的BVCBO为理想值的94%,比传统终端结构器件高14%;与传统结构相比,在不减小散热面积的情况下,该结构还减小集电结面积和漏电流,器件的截止频率提高33%,功率增益提高1dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李肇基	电子科技大学微电子科学与工程系	85	958	14.0	28.0
2	张庆中	电子科技大学微电子科学与工程系	16	73	4.0	8.0
3	周蓉	电子科技大学微电子科学与工程系	6	10	2.0	3.0
4	胡思福	电子科技大学微电子科学与工程系	6	10	2.0	3.0