6H-SiC肖特基源漏MOSFET的模拟仿真研究

• 作者: 张义门 张玉明 汤晓燕 王源
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 肖特基接触 MOSFET 势垒高度
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2553-2557
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3017字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.10.036

摘要

给出了一种新型SiC MOSFET--6H-SiC肖特基源漏MOSFET.这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高、晶格损伤大,注入激活率低等问题.分析了该器件的电流输运机理,并通过MEDICI模拟,给出了SiC肖特基源漏MOSFET伏安特性以及其和金属功函数、栅氧化层厚度和栅长关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕	西安电子科技大学微电子研究所	24	144	7.0	11.0
4	王源	西安电子科技大学微电子研究所	3	4	2.0	2.0