硅基隧穿二极管

• 作者: 熊晨荣 王燕 陈培毅
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 隧穿二极管 异质结 负微分电阻
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.2
• 字数: 2497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.12.001

摘要

隧穿二极管是一种很有前途的基于带隙工程的异质结构量子器件,其电流电压(I-Ⅴ)曲线中所呈现的微分负阻特性能够用于开发多种不同的电路功能.在最近的研究中,空穴型双势垒单势阱共振隧穿二极管得到了实现,为Si1-xGe/Si异质结隧穿二极管器件的改进和电路应用打下了良好的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
2	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0
3	熊晨荣	清华大学微电子学研究所	3	7	1.0	2.0