大直径直拉硅片的快速热处理

• 作者: 余学功 杨德仁 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 快速热处理 空位 清洁区 氧沉淀
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 490-493
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2545字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.05.009

摘要

主要研究了快速热处理(RTP)对大直径直拉(CZ)硅片的清洁区(DZ)和氧沉淀的影响.通过在Ar、N2、O2三种不同气氛中,在不同温度下RTP发现在大直径CZ硅片中氧沉淀的行为及DZ的宽度与RTP的温度、气氛有很大关系.在实验的基础上,讨论了在大直径CZ硅中RTP对氧沉淀和DZ的影响机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	余学功	浙江大学硅材料国家重点实验室	18	119	7.0	10.0