InSb的锂嵌入形成能第一原理计算

• 作者: 侯柱锋 刘慧英 朱梓忠 杨勇 黄美纯
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InSb 锂嵌入形成能 电子结构 第一原理计算
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1732-1736
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3526字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.07.032

摘要

InSb材料在近来的锂离子电池负极材料研究中受到了重视.使用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了锂离子电池非碳类负极材料InSb各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构.讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密度以及电荷分布等性质.计算发现,闪锌矿结构的InSb材料,锂嵌入到主体材料的间隙位置时的形成能平均每个锂原子都在2.2eV左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨勇	厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室	86	684	15.0	24.0
2	刘慧英	集美大学计算科学与应用物理系	16	180	5.0	13.0
4	黄美纯	厦门大学物理系	35	129	7.0	8.0
5	朱梓忠	厦门大学物理系	50	186	7.0	10.0
6	侯柱锋	厦门大学物理系	7	67	5.0	7.0