GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究

• 作者: 周仲蓉 孙大鹏 宋增超 张万荣 李志国 程尧海
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs FET 失效机理 快速评价
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 856-860
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 2421字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.016

摘要

提出了一种快速评价GaAs FET可靠性寿命的新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,及温度斜坡法在线快速提取器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而进一步求出器件的失效激活能等相关的可靠性物理参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子信息与控制工程学院	57	418	12.0	18.0
2	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
3	程尧海	北京工业大学电子信息与控制工程学院	17	154	6.0	12.0
4	宋增超	北京工业大学电子信息与控制工程学院	1	0	0.0	0.0
5	孙大鹏	北京工业大学电子信息与控制工程学院	1	0	0.0	0.0
6	周仲蓉	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	4	1.0	2.0