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ZnO材料的电子输运特性
ZnO材料的电子输运特性
作者:
Maritin Staedele
Umberto Ravaioli
孙荣霞
宋登元
宗晓萍
王永青
郭宝增
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Monte Carlo
ZnO
输运特性
微分负阻效应
摘要:
用全带Monte Carlo方法模拟了纤锌矿ZnO材料电子的稳态和瞬态输运特性.稳态输运特性包括稳态平均漂移速度-电场特性、电子平均能量-电场特性和在不同电场下电子按能量的分布.在平均漂移速度-电场特性中发现了微分负阻效应.ZnO的瞬态输运特性包括平均漂移速度-位移关系曲线、渡越时间-位移关系曲线等.在平均漂移速度-位移关系曲线中发现了过冲现象,这种现象是电子从低能谷到高能谷跃迁过程中的弛豫时间产生的.
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文献信息
篇名
ZnO材料的电子输运特性
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
Monte Carlo
ZnO
输运特性
微分负阻效应
年,卷(期)
2003,(7)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
723-728
页数
6页
分类号
TN304.2+3
字数
4018字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.010
五维指标
传播情况
被引次数趋势
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ZnO
输运特性
微分负阻效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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