溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质

• 作者: 庄惠照 杨莺歌 薛成山 郝晓涛 马洪磊 马瑾
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN薄膜 GaAs(110)衬底 光致发光 溅射后退火反应法
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 387-390
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1693字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.011

摘要

报道了用溅射后退火反应法在GaAs (110) 衬底上制备GaN薄膜.XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的GaN是沿c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜.PL测量结果发现了位于368nm处的室温光致发光峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马瑾	山东大学物理与微电子学院	44	495	13.0	20.0
2	马洪磊	山东大学物理与微电子学院	58	681	15.0	23.0
3	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
4	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
5	郝晓涛	山东大学物理与微电子学院	12	158	7.0	12.0
6	杨莺歌	山东大学物理与微电子学院	8	124	5.0	8.0