高温快速热处理对硅中热施主的影响

• 作者: 杨德仁 樊瑞新 裴艳丽 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 热施主 快速热处理 硅
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1035-1039
• 页数: 5页
• 分类号: O474
• 字数: 2547字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.006

摘要

研究了不同气氛(N2、O2、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片纵向的分布是均匀的.根据高温RTP后硅片的空位特征,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响.同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过650℃退火即可消除,和普通的热施主消除特性相同.而N2气氛下高温RTP的样品,650℃退火后仍有部分施主存在,经950℃退火才能彻底消除,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散,在后续热处理中形成氮氧复合体浅施主中心所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	樊瑞新	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	60	5.0	6.0
5	裴艳丽	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	36	3.0	4.0