近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱

• 作者: 冯良桓 张静全 朱居木 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 近空间升华 碲化镉薄膜 微结构 光致发光谱 太阳电池
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 827-832
• 页数: 6页
• 分类号: O484|TM914.4
• 字数: 4121字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.010

摘要

用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜.研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的PL谱的区别,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯良桓	四川大学材料科学系	78	424	10.0	17.0
2	蔡亚平	四川大学材料科学系	33	302	10.0	16.0
3	郑家贵	四川大学材料科学系	49	317	9.0	15.0
4	张静全	四川大学材料科学系	69	285	8.0	15.0
5	蔡伟	四川大学材料科学系	30	296	10.0	16.0
6	武莉莉	四川大学材料科学系	56	217	8.0	13.0
7	陈诺夫	中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室	33	154	6.0	11.0
8	朱居木	四川大学材料科学系	9	103	5.0	9.0