超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析

• 作者: 田豫 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非对称 Halo LDD 低功耗 模拟
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 510-515
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 字数: 3989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.05.013

摘要

提出了一种新的器件结构--非对称Halo LDD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称Halo LDD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称LDD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子所	87	413	9.0	17.0
2	田豫	北京大学微电子所	4	4	2.0	2.0