纳米级电子束直写曝光的基础工艺

• 作者: 刘明 李泠 王云翔 陆晶 陈宝钦 龙世兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束光刻 混合光刻 邻近效应修正
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 226-228
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.z1.051

摘要

电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子中心	207	1983	20.0	38.0
2	陈宝钦	中国科学院微电子中心	50	361	11.0	16.0
3	王云翔	中国科学院微电子中心	8	36	5.0	5.0
4	陆晶	中国科学院微电子中心	4	27	4.0	4.0
5	龙世兵	中国科学院微电子中心	14	45	6.0	6.0
6	李泠	中国科学院微电子中心	8	32	5.0	5.0