硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状

• 作者: 刘丽峰 吕惠宾 周岳亮 相文峰 谈国太 郭海中 陈正豪 颜雷
• 来源期刊: 物理
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基集成电路 高介电常数氧化物材料 栅极介电层
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 228-234
• 页数: 7页
• 分类号: TN4
• 字数: 6508字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.04.004

摘要

随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求,硅基集成电路的集成度越来越高,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的.当栅极SiO2介电层的厚度减小到原子尺度大小时,由于量子效应的影响,SiO2将失去介电特性,因此必须寻找一种新的高介电常数(high-K)的氧化物材料来代替它.如今世界上许多国家都开展了替代SiO2的介电氧化物材料的研究工作.文章介绍了栅极介电层厚度减小带来的影响,栅极SiO2介电层的高K氧化物材料的要求和粗选,并对近期高介电常数氧化物材料的研究状况作了简要的介绍和评述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕惠宾	中国科学院物理研究所	21	125	7.0	10.0
2	陈正豪	中国科学院物理研究所	22	163	9.0	12.0
3	刘丽峰	中国科学院物理研究所	12	81	5.0	9.0
4	周岳亮	中国科学院物理研究所	24	142	6.0	11.0
5	谈国太	中国科学院物理研究所	2	39	2.0	2.0
6	相文峰	中国科学院物理研究所	1	20	1.0	1.0
7	颜雷	中国科学院物理研究所	2	26	2.0	2.0
8	郭海中	中国科学院物理研究所	2	24	2.0	2.0