LDD-CMOS中ESD及其相关机理

• 作者: 郝跃 马巍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LDD-CMOS ESD潜在损伤 Snapback
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 892-896
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.023

摘要

LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术,该技术很好地改善了沟道电场分布,避免了在器件漏端的强场效应,在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命.然而,LDD结构的抗ESD的能力却大大降低了.文中通过实验和分析,研究了在ESD过程中,LDD gg-nMOS器件的Snapback对器件潜在损伤的影响,尤其对热载流子效应的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	马巍	西安电子科技大学微电子研究所	1	20	1.0	1.0