Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质

• 作者: 危书义 张开明 戴宪起 杨宗献 马丽
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学吸附 钴 硅 低指数单晶面 金属薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1040-1043
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 2179字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.007

摘要

用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(100)表面的化学吸附.计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量.结果表明,Co原子在C位(四度位)时吸附最稳定,在Co/Si(100)界面存在Co、Si混合层.同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宗献	河南师范大学物理与信息工程学院	24	107	7.0	8.0
2	戴宪起	河南师范大学物理与信息工程学院	42	133	6.0	9.0
3	危书义	河南师范大学物理与信息工程学院	37	99	5.0	7.0
4	马丽	河南师范大学物理与信息工程学院	5	9	2.0	3.0
5	张开明	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	5	7	1.0	2.0