高性能六边形发射极InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

• 作者: 刘洪刚 吴德馨 和致经 袁志鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极型晶体管 InGaP/GaAs 六边形发射极
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1135-1139
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.11.003

摘要

六边形发射极的自对准InGaP/GaAs异质结具有优异的直流和微波性能.采用发射极面积为2μm×10μm的异质结双极型晶体管,VCE偏移电压小于150mV,膝点电压为0.5V(IC=16mA),BVCEO大于9V,BVCBO大于14V,特征频率高达92GHz,最高振荡频率达到105GHz.这些优异的性能预示着InGaP/GaAs HBT在超高速数字电路和微波功率放大领域具有广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
2	和致经	中国科学院微电子中心	36	229	9.0	13.0
3	袁志鹏	中国科学院微电子中心	11	33	3.0	5.0
4	刘洪刚	中国科学院微电子中心	10	17	3.0	4.0