高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器

• 作者: 岳爱文 张伟 沈坤 王任凡 石兢 詹敦平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 垂直腔面发射激光器 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 693-696
• 页数: 4页
• 分类号: TN248
• 字数: 575字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.004

摘要

报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0.82mW/mA和2.59mA,激光器在23mA时输出16mW最大光功率.氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA,其最大饱和光功率为5.5mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石兢	武汉大学物理系	24	113	6.0	10.0
2	王任凡		13	34	3.0	5.0
3	岳爱文		3	18	2.0	3.0
4	沈坤		4	39	2.0	4.0
5	张伟		1	15	1.0	1.0
6	詹敦平		1	15	1.0	1.0